THz-NeaSNOM太赫茲近場光學顯微鏡 -30nm光學信號空間分辨率
太赫茲波段的納米分辨散射式近場光學顯微-譜儀系統：
neaspec公司推出的第三代散射式近場光學顯微鏡neaSNOM，采用的高階解調背景壓縮技術，有效 提取散射近場信號，在獲得10nm空間分辨率的同時保持極高的信噪比，是目前世界上成熟的s-SNOM產 品。同時其贗外差干涉式探測技術，能夠獲得對近場信號強度和相位的同步成像。
由于的全反射式光學聚焦和的雙光路設計，neaSNOM是目前世界上***款可以應用于太 赫茲波段的近場光學顯微成像和譜儀系統。全新推出的THz-neaSNOM必將成為廣大太赫茲科研工作者手中的 神兵利器。
對有機和無機材料同樣適用
。封閉式外罩設計，減少氣流干擾。
。預先校準的近場光路，近***步提高穩定性
。快速成像，并以10nm空間分辨率鑒別納米材料
。同步探測近場光學信號強度、相位并成像
。可對單層石墨烯，蛋白質有效測量的高敏感度
。簡單明了的光路說明和光源選擇指示，培訓、操作簡便
產品簡介：
太赫茲（THz）光源波長較大，***般在300微米左右。由于衍射極限的存在，THz遠場測量系統的光學空間分辨率***般被限制在150微米左右。該THz光遠場測量結果的準確度經常無法滿足對材料科學研究，尤其是需要納米分辨率的微細尺度材料分布研究（例如半導體芯片中各個組成：源極，漏極，柵極）的實驗。THz-NeaSNOM近場光學顯微鏡的出現為此難題提供了***個很好的解決方案。
德***Neaspec公司與Fraunhofer IPM在Neaspec公司NeaSNOM近場光學顯微鏡的基礎上，已經成功研發了***套易用使用且THz系統的空間分辨率達到30nm的實驗設備。
THz-NeaSNOM主要技術參數與特點：
。優于30nm的空間分辨率
。常用THz光范圍：0.1-3THz
。設計的寬波段拋面鏡
。THz研究可使用商業
散射型近場光學顯微鏡原理視頻介紹：
HNeaSNOM 30nm空間分辨率
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的背景信號壓制技術：
s-SNOM技術相對于傳統SNOM更難實現的主要瓶頸在于，探測器通過自由光路接收散射信號時，其接收到 的光學信號中99%以上是懸臂、樣品等區域散射的背景信號，只有不到1%是來自于針尖與樣品之間的有效近 場信號。只有成功的將有效的近場信號提取出來，才能獲得可靠穩定的近場光學測量結果。
neaSNOM通過其的高階信號解調技術結合干涉式探測方式，實現了對背景信號的有效壓制，獲得了對 散射近場信號高度可重復性、高信噪比的可靠測量。
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在原理上，利用AFM探針的高頻振動，遠場光學信息在快速傅里葉變換后僅可獲得***階信號；相對地，近場光學信息可以獲得***至四階不同的信號。通過探測器對高階信號的采集處理，從而實現從背景信號中對有效 近場信號的剝離。
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neaSNOM擁有的heterodyne探測模塊，可以利用參考鏡進***步對剝離的近場信號進行調制，從而實現了對其強度和相位的同時采集和成像。
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更廣的波長范圍和更高的分辨率
neaSNOM對晶體管的近場成像
與傳統SNOM技術受到分辨率極限的限制，而只能使用可見光或近紅外光源不同，neaSNOM將可用光源拓展到中紅外和太赫茲波段，并始終保持納米***分辨率，這決定于neaSNOM的分辨率只與散射源尺寸( AFM 針尖曲率半徑）有關這***獨特技術特點。上圖為，neaSNOM采用波長為10um的中紅外光源和118um的太赫 茲光源獲得的近場成像結果，其太赫茲成像的分辨率達到40nm，約為激發波長的1/3000，充分證明了 neaSNOM的高分辨能力。
在中紅外和太赫茲波段的納米成像能力，使得neaSNOM具有對納米結構進行電學，分子、晶格振動等性質 的探測能力，近***步拓展了近場光學技術的應用范圍，為更多學科提供了有利的表征手段。
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更大的應用拓展空間
得益于***的雙光路設計，neaSNOM在成像功能基礎上具有了更大的應用拓展空間。利用預留的第二套可 用光路，neaSNOM可以實現對拉曼、熒光、光誘導和超快等領域的研究，部分研究成果已經發表在著 名期刊。
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專業的模塊化設計
neaSNOM散射型近場光學顯微鏡采用模塊化設計，將可見光、近紅外、中紅外照明探測單元，nano-FTIR ,
透射模式等功能進行封閉模塊化設計，進***步提高了整體光路的穩定性，以及操作的簡便性，便于使用者更 快掌握neaSNOM系統操作，獲得高質量近場光學測結果。
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用戶友好的軟件平臺
neaSNOM散射型近場光學顯微鏡的軟件平臺歷經數代開發整合，已完全兼容于windows系統并有著***的客戶體驗。*新的軟件系統用戶友好，操作簡單，為防止使用人員的誤操作，模塊化的設計體系保證了儀器更 高的安全性。
滬公網安備31011502016460號
